ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследованы аморфные сверхрешетки типов a-Si:H/a-SiNx:H и a-Si:H/a-SiCx:H (х=0.3) с толщинами слоев a = 14 - 100 ангстрем. Показано, что периодичность и совершенство слоев улучшается по мере увеличения числа слоев (40 - 60) и удаления слоев от подложки. Анализ контраста электронных микрофотографий позволил определить ширину границы раздела аморфных слоев кремния и нитрида кремния. На границе с кварцевой подложкой обнаружены макроскопические дефекты.