ИСТИНА

Построена и разработана теория нестационарного метода накачка–зондирование в полупроводниках при учете различных механизмов нелинейного взаимодействия фотонов слабого и мощного импульсов с экситонами и биэкситонами. Предложена нестационарная версия метода накачка–зондирование в экситонной области спектра при учете экситон–фотонного и упругого экситон–экситонного взаимодействий. Показано, что плотность экситонов и компоненты восприимчивости, осциллируя, затухают во времени. Предсказывается резонансный по амплитуде поля накачки эффект резкого подавления затухания в системе когерентных экситонов в узких областях изменения амплитуды поля и расстройки резонанса. Доказано существование лоренцовской полосы однофотонного поглощения слабого импульса биэкситонами на частоте, равной разности собственных частот биэкситона и фотона мощного импульса. Доказано, что закон дисперсии для фотонов слабого импульса имеет поляритоноподобный характер, причем продольно–поперечное расщепление и частота Раби растут пропорционально интенсивности мощного импульса. Изучен эффект Аутлера–Таунса и явление квантовой интерференции под действием мощного импульса, смешивающего экситонное и биэкситонное состояния, и слабого импульса, действующего в экситонной области спектра, при одновременном учете процесса двухфотонного возбуждения биэкситонов из основного состояния кристалла фотонами обоих импульсов Предсказано несимметричное спектральное поведение ветвей закона дисперсии в зависимости от интенсивности мощного импульса, обусловленное квантовой интерференцией.