|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Излучательная рекомбинация и фотоэлектрические свойства тройных твердых растворов Ga1-xInxSbдиссертация
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Лебедев А.И.
- Дата защиты: 6 февраля 1980 года
- Шифр диссертационного совета: K 053.05.20
- Организация: Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
- Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Оппоненты: Осипов В.В., Гиппиус А.А.
-
Аннотация:
Исследована излучательная рекомбинация в нелегированных и легированных различными примесями твердых растворах Ga1-xInxSb в широком дипазоне составов (x = 0-0.8; подробно при х < 0.2) и температур (65-320 К). Впервые исследованы спектры люминесценции GaSb и Ga1-xInxSb, легированных оловом, р- и n-типа проводимости. Исследованы фотоэлектрические и люминесцентные свойства р-n- и гетеропереходов на основе Ga1-xInxSb. Построена энергетическая диаграмма гетероперехода р-GaSb-n-Ga1-xInxSb. Поведение спектров люминесценции объясняется теорией примесной люминесценции в сильно легированных полупроводниках, развитой в работах В.В.Осипова.
- Добавил в систему: Лебедев Александр Иванович