|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Способы создания молекулярных одноэлектронных транзисторовкурсовая работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Рыженкова С.Ю.
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Кафедра: Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
- Год защиты: 2017
- Курс: 2
- Аннотация: Приведен обзор методов создания макроэлектродов наноэлектронных элементов атомарно-молекулярного масштаба и дано подробное описание процедуры «засветки» фоторезиста при создании макроэлектродов молекулярных транзисторов. В процессе изготовления таких структур проведено исследование влияния времени засветки образца с нанесенным резистом при фиксированной интенсивности источника света на качество электродов с целью найти оптимальное значение этого параметра процесса. В итоге, для образцов с толщиной резиста 200 нм и фиксированной интенсивности источника 25 мВ/см^2, была получена оценка снизу для времени экспонирования: для получения пеобходимой четкости и неразрывности электродов время экспонирования должно превышать 2 минуты 15 секунд.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич