|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Методы изготовления тонкоплёночных наноструктур атомарно-молекулярного масштабакурсовая работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Морозова Е.К.
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Кафедра: Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
- Год защиты: 2017
- Курс: 2
- Аннотация: Приведено описание методов создания макроэлектродов наноэлектронных элементов атомарно-молекулярного масштаба, в процессе изготовления таких структур проведено исследование влияния времени проявления фоторезиста на качество электродов с целью найти оптимальное значение этого параметра процесса. Показано, что время проявления фоторезиста должно превышать 30 с (т.е. определено пороговое значение), а оптимальное значение лежит в диапазоне 40-45 с.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич