Оптимизация условий синтеза фотонного кристалла на основе анодного оксида алюминия с максимальным коэффициентом добротностикурсовая работа (Специалист)
Аннотация:Анодный оксид алюминия и фотонные кристаллы на его основе привлекают интерес учёных благодаря возможности использования в качестве оптических датчиков, оптических фильтров и полностью оптических платформ для квантовых вычислений.
Изготовление как самого анодного оксида алюминия, так и фотонных кристаллов на его основе, проводится простым и экономичным способом – анодированием алюминия, благодаря которому создаются самоупорядоченные нанопористые структуры.
Фотонные кристаллы на основе анодного оксида алюминия обладают фотонной запрещённой зоной, которая не позволяет свету какой-то конкретной длины волны свободно распространяться через структуру фотонного кристалла вследствие периодической структуры, основанной на модуляции эффективного показателя преломления слоёв анодного оксида алюминия. Одной из основных характеристик фотонного кристалла является коэффициент добротности, который определяет узость диапазона длин волны отражаемого света.
При использовании фотонных кристаллов на основе анодного оксида алюминия в качестве сенсоров необходимо воспроизводимо определять сдвиг фотонной запрещённой зоны от результата к результату для определения концентрации аналита в растворе. Точность определения положения фотонной запрещённой зоны возрастает с уменьшением её ширины. Поэтому необходимо увеличение коэффициента добротности фотонных кристаллов на основе анодного оксида алюминия для уменьшения погрешности результатов исследований не только в сенсорике, но и в других областях, где необходима точность. Согласно литературным данным, наибольшие коэффициенты добротности были достигнуты при анодировании алюминия в электролитах на основе серной кислоты.
Целью данной работы является увеличение коэффициента добротности фотонных кристаллов на основе анодного оксида алюминия при анодировании в 2 M H2SO4.