ЧАСТОТА СПИН-ТРАНСФЕРНОГО НАНООСЦИЛЛЯТОРА НА ОСНОВЕ ПЕРПЕНДИКУЛЯРНОЙ ТУННЕЛЬНОЙ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С НЕНУЛЕВОЙ ЭЛЛИПТИЧНОСТЬЮкурсовая работа (Специалист)
Аннотация:Свободный слой в нано-гетероструктуре с магнитным туннельным переходом (МТП) обычно имеет фор- му тонкого диска диаметром в несколько десятков нанометров и толщиной в несколько нанометров. При определённых значениях тока, протекающего через такую МТП-структуру намагниченность свобод- ного слоя испытывает стационарную прецессию, вызванную компенсацией диссипации энергии прецессии спин-трансферным эффектом. Важным свойством такого осциллятора является линейная зависимость частоты колебаний от приложенного напряжения. Если форма МТП-структуры приобретает эллиптичность при изготовлении, то колебания намагниченности становятся отличными от синусоидальных, и зависи- мость частоты от напряжения становится более сложной. В данной статье мы приводим приближенную формулу для расчёта частоты однодоменного нано-осциллятора в МТП-структуре с ненулевой эллиптично- стью, которая была получена с помощью ассимптотического метода решения уравнения Ландау-Лифшица с дополнительными феноменологическими транспортными слагаемыми. Также, приводится сравнение по- лученной формулы с результатами численных расчётов, которые показывают хорошее согласование при малых отклонениях формы МТП-структуры от симметричного диска.
