Аннотация:Выявлено увеличение микротвердости связанное с интенсивным образованием радиационных дефектов и, как следствие, возникновение энергетического барьера, закрепляющего дислокации. Кроме того, возможно, образование атомных групп и малых кластеров с симметрией, отличной от симметрии исходной матрицы, с чрезвычайно сильным изменением механических свойств материала, в частности микротвердости, в результате локальной перестройки кристаллической решетки в окрестности радиационных точечных дефектов (вакансий). Подобное состояние является неравновесным и разрушается в процессе отжига при температурах и времени соответствующим облучению. Уменьшение значения микротвердости, предположительно, происходит вследствие радиационного отжига поверхностных слоев и отжига, обусловленного увеличением температуры и времени воздействия ионного облучения.