Организация, в которой проходила защита:
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Год защиты:2017
Аннотация:Актуальность работы обусловлена возрастающим интересом к созданию тонкослойных электронных устройств (солнечных элементов, фотодиодов) с использованием проводящих органических соединений и полупроводниковых нанокристаллов (квантовых точек) в связи такими достоинствами, как широкие спектры поглощения, включая ближний ИК диапазон, возможностью нанесения слоев методами полива или печати из жидких растворов.
С помощью ИК спектроскопии экспериментально был доказан факт замены лигандов квантовых точек непосредственно в тонких слоях. На основании анализа особенностей вольт-амперных характеристик диодных устройств, пригтовленных из слоя квантовых точек, был сделан выбор подходящей толщины слоя квантовых точек в гибридной структуре фотовольтаического элемента и оптимизированы его рабочие характеристики.