Аннотация:Работа посвящена исследованию свойств сегнетоэлектриков на примере кристаллов триглицинсульфата (ТГС). Для понимания взаимодействий элементов структуры кристалла и их правильной трактовки используется модель динамической проводимости, которая применяется для анализа диэлектрических спектров кристаллов в широком диапазоне частот. С помощью этой модели показано, что в диэлектрическом отклике ТГС присутствуют одновременно все три основные виды взаимодействий и соответственно дисперсий.