Аннотация:Дипломная работа посвящена изучению процессов, происходящих в материалах при применении методов импульсной спектроскопии временного разрешения.Исследовались схемы ТСВР с точки зрения оптимизации диагностики состава веществ. Задачей было исследование возможности идентификации веществ в форме
порошков. Было выявлено, что способ приготовления образцов может сказываться на результатах интерпретации спектральных зависимостей, что очень важно для задач
определения опасных веществ по их спектрам. Исследовались возможности применения методов СВР для исследования
оптического и терагерцового отклика кристаллов Sn2P2S6 (сокращенно, SPS) – уникальных
сегнетоэлектриков-диэлектриков. Были изучены процессы изменения линейного и нелинейного отклика при фемтосекундной накачке исследуемого образца.
Результаты дипломной работы могут быть сформулированы следующим образом:
1. Исследованы 2 схемы экспериментальных установок для терагерцовой
спектроскопии временного разрешения:
• стандартной широкополосной спектроскопии (в диапазоне от 0.3 до 2.5 ТГц) и
• частотно-перестраиваемой узкополосной спектроскопии (с шириной линии
возбуждения до 0.08 ТГц).
2. Измерены спектры потерь терагерцвого излучения в порошках трех веществ. При этом применялись 2 подхода:
• стандартный, основанный на Фурье-анализе временных зависимостей падающего
и прошедшего излучения, и
• новый, основанный на прямом измерении коэффициента ослабления временных
форм в схеме узкополосной спектроскопии.
Показано, что результаты применения метода импульсной терагерцовой
спектроскопии в обеих схемах хорошо согласуются друг с другом.
3. Проведены первые эксперименты по изучению нового метода экспресс-диагностики
наличия вещества, основанного на измерении частотной зависимости времен
задержки квази-монохроматических терагерцовых импульсов в образце. Получено
аномальное поведение данной зависимости для 2,4 DNT и монотонное - для альфа-лактозы. Результаты хорошо согласуются с данными,
полученными методами широкополосной спектроскопии. Дальнейшие шаги по
развитию нового метода перспективны для создания практических средств быстрой
идентификации опасных веществ.
4. Собраны несколько модификаций установок для анализа линейного и нелинейного
оптического отклика фоторефрактивного кристалла Sn2P2S6 при облучении
фемтосекундными импульсами лазерной накачки, включающих
• схему pump/probe для исследования динамики возбуждений на разностных частотах терагерцового диапазона и
• схему измерения мощности генерации второй оптической гармоники в
зависимости от мощности накачки и температуры кристалла.
5. Обнаружено, что при увеличении плотности мощности фемтосекундной накачки от
1 Вт/см2 до 17.5 Вт/см2 появление наведенной оптической неоднородности в
фоторефрактивном кристалле Sn2P2S6 приводит к изменению основного направления
распространения вплоть до 1 град. и выше, а также существенному
пространственному искажению сечения пучка накачки.
6. Обнаружено резкое изменение характера зависимости нелинейного сигнала второй
гармоники в кристалле Sn2P2S6 от мощности фемтосекундной накачки, наступающее
при пороговом значении плотности мощности накачки 1.75 МВт/см2. Мощность
гармоники, возбуждаемой высокоэнергетичными импульсами, начинает быстро уменьшаться с ростом интенсивности накачки.
7. Показано, что при увеличении температуры кристалла нелинейный отклик
уменьшается, спадая до 0 при приближении к температуре фазового перехода.