Аннотация:Благодаря спинтронике появился такой электронный компонент как память MRAM (Magnetic Random Access Memory) -- магниторезистивная память с произвольным доступом. Достоинством такого типа памяти является её энергонезависимость и быстродействие. Существующие на сегодняшний день механизмы изменения логического состояния ячейки памяти MRAM по-прежнему интенсивно исследуются для увеличения быстродействия, повышения отказоустойчивости, снижения энергопотребления и снижения стоимости производства. В данной работе Спиновый эффект Холла рассматривается как основа для альтернативного механизма записи ячеек MRAM с помощью индуцированной электрическим током спиновой поляризации.