|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследование процесса образования филаментных структур в оксидах кинетическим методом Монте-Карлодипломная работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Бажанов Дмитрий Игоревич
- Автор: Понкратов Данил Сергеевич
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2021
- Аннотация: Одна из наиболее распространенных физических реализаций резистивной памяти основана на способности тонкопленочной структуры металл-диэлектрик-металл изменять свое сопротивление под действием приложенного напряжения/тока и запоминания результирующего резистивного состояния. Запоминающие устройства привлекли большое внимание в последнее десятилетие из-за перспективы их приложения в резистивной оперативной памяти (Resistive Random Access Memory - RRAM), а также в памяти вычислительных и нейроморфных систем. Типичная структура резистивной памяти, так называемые мемристоры, представляет собой тонкую диэлектрическую пленку, зажатую между двумя электродами - верхним и нижнем. Цель работы состоит в том, чтобы решить две задачи: 1. Структурная задача состоит в моделировании роста филамента в структуре мемристоре при подключении биполярного напряжения; 2. Электронная задача в воспроизведении вольт-амперной характеристики (ВАХ) с помощью квантово-механических и полуэмпирических расчетов.
- Добавил в систему: Бажанов Дмитрий Игоревич