|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Анализ кристаллической структуры кремния с помощью резерфордовского обратного рассеяниядипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Черныш В.С.
- Автор: Назаров А.В.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2013
- Аннотация: Исторически первым полупроводниковым материалом, использованным на ранних стадиях разработки полупроводниковых приборов, был германий. Совершенствование германиевой технологии сделало возможным создание ряда приборов, включая германиевые точечные и сплавные транзисторы. Однако вскоре германий был заменен кремнием, обладающим таким важным свойством, как возможность получения в окислительной среде тонкого, прочного и влагонепроницаемого диэлектрического слоя аморфной двуокиси кремния (SiO2). На сегодняшний день монокристаллический кремний (а в некоторых случаях поликристаллический, аморфный, пористый) является основным материалом микро- и наноэлектроники, и в прогнозируемом будущем этот материал представляет большой интерес для развиваемого нового направления, основанного на использовании эффектов размерного квантования. В настоящее время 98 % от общего числа интегральных схем изготавливаются на основе кремния. Существует ещё такой важный фактор, как доступность материала. Кремний является наиболее распространённым в земной коре из всех наиболее часто используемых материалов электроники. Свойства электронных приборов и структур зависят от дефектности монокристаллического кремния, концентрации и профилей залегания примесей, толщин слоёв и плёнок. Метод спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния (РОР или RBS) позволяет изучать эти и многие другие аспекты. Этот метод основан на регистрации энергетического спектра обратнорассеянных быстрых ионов с энергиями от нескольких сотен кэВ до нескольких МэВ. Глубина анализа методом РОР составляет от нескольких сотен нанометров до нескольких с разрешением по глубине до 5 нм. Диаметр пучка на некоторых современных установках достигает нескольких микрометров (micro RBS). Целью настоящей дипломной работы была реализация методики спектрометрии Резерфордовского обратного рассеяния на базе ускорителя HVEE-500 а также применение этой методики для анализа кристаллической структуры кремния.
- Добавил в систему: Черныш Владимир Савельевич