Аннотация:Кремний – широко используемый в различных областях электроники полупроводниковый материал. Непрерывная тенденция к миниатюризации полупроводниковых элементов вызывает потребность в изучении свойств не только объемного кремния, но и наночастиц на его основе - нанокремния. Легирование, т. е. контролируемое введение примесей зачастую приводит к перекристаллизации нанокремния с образованием микрокристаллитов, а также микростержней. Такие кремниевые микростержни обладают интересными электрическими и сенсорными свойствами, которые в дальнейшем можно использовать при создании различных электронных устройств нано- и микроразмера. При этом в литературе практически отсутствуют данные о перекристаллизации нанокремния из газовой фазы и одновременном легировании полученных стержней.
Таким образом, целью данной работы является исследование перекристаллизации нанокремния в присутствии алюминийсодержащих прекурсоров для получения кремниевых микростержней, легированных алюминием.
В ходе проведенной работы были получены следующие результаты:
1. Нанокремний при нагреве в присутствии алюминийсодержащих прекурсоров (Al+AlCl3 / AlCl3) претерпевает перекристаллизацию с образованием микростержней.
2. Предложен возможный путь перекристаллизации с переносом кремния через пар с участием газообразного SiHCl.
3. Полученные микростержни кремния содержат легирующую примесь алюминия, концентрация которой в отдельных случаях достигает 4-5 ат.%.
4. На низкотемпературных участках температурных зависимостей проводимости определены энергии активации от 0,23 до 0,43 эВ. ВАХи образцов описываются моделью двух встречновключенных диодов с высотами барьеров от 0,3 до 0,6 эВ.
5. Проводимость микростержней, отожжённых в вакууме, при извлечении на воздух увеличивается, что может говорить о p-типе проводимости. Обнаружена заметная фотопроводимость полученных микростержней.
6. Обнаружена значительная сенсорная чувствительность на газ-окислитель NO2 с концентрацией 1 ppm.