|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Компьютерное моделирование туннельных характеристик одноэлектронных наносистемдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Шорохов В.В.,
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2000
- Аннотация: Проведенное в данной работе численное моделирование характеристик молекулярных одноэлектронных транзисторов и сравнение их с экспериментальными данными позволило получить следующие основные результаты: 1) Разработан программный комплекс для моделирования процессов коррелированного туннелирования электронов в молекулярной системе с быстрой (по сравнению с временем между актами туннелирования электронов) релаксацией. Проведено моделирование ВАХ молекулярных транзисторов впервые для крайних случаев быстрой и медленной релаксации для двух видов энергетических спектров и проведено их сравнение. Показано, что быстрая релаксация дает сильные отличия вида ВАХ от случая медленной релаксации лишь при большой нерегулярности спектра. 2) Предложена и реализована эффективная схема расчета канонического распределения электронов в молекуле рекуррентным методом. Такая схема дает ускорение в расчете канонического распределения электронов для дискретной структуры уровней молекулы в раз по сравнению с прямым перебором комбинаций, где – числоэлектронов, а число уровней энергии в молекуле. 3) Предложена новая модель туннельного транспорта электронов в одноэлектронном транзисторе, основанная на представлении о выделенном энергетическом канале туннелирования, через уровни внутри которого осуществляется туннелирование электронов. Эта модель позволила непротиворечиво объяснить наблюденные при моделировании особенности поведения транзистора. 4) В результате подробного анализа характеристик и структуры экспериментальной системы и пространства параметров моделирования определены параметры для наилучшего совпадения экспериментальных и модельных кривых. Проведенное сравнение модельных и экспериментальных кривых, позволило дать трактовку этого эксперимента и описать режим туннелирования реализованный в нем. 5) Проведена оценка времени релаксации электронов в реальном молекулярном транзисторе. По результатам сравнения модельных и экспериментальных ВАХ, показано, что в эксперименте был реализован случай медленной релаксации электронов со временем релаксации . 6) В результате анализа серий модельных ВАХ была выяснена причина появления ступенек на них и показано, что такой причиной является преимущественно дискретность энергетического спектра, а не кулоновские эффекты. Размер таких ступенек определяется плотностью состояний в кластерной молекуле, а не положением конкретных энергетических уровней.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич