|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследование туннельного транспорта электронов через планарные структуры нанометрового масштабадипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Дагесян С.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2012
- Аннотация: Дипломная работа посвящена разработке методики изготовления наноэлектродов молекулярного транзистора и исследованию туннельного транспорта электронов между ними. Описаны технологии и методики изготовления тонкопленочных заготовок электродов молекулярного транзистора,разработанный алгоритм проведения процесса электромиграции и установка для его реализации. Приведено описание установки для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) полученных наноструктур, а также результаты проведенных измерений, показавших, что полученные вольтамперные характеристики изготовленных нанозазоров имеют вид, типичный для туннельных переходов. Проведен анализ вида ВАХ полученных образцов путем сопоставления экспериментальных данных с теоретическими моделями туннельного транспорта электронов. Анализ экспериментальных данных на основе теоретической модели Симмонса показал туннельный характер полученных вольтамперных характеристик и позволил выявить на них области с разным режимом туннелирования (режим прямого туннелирования и автоэлектронной эмиссии), а также область перехода от одного к другому с помощью наблюдения минимума вольтамперной характеристики, представленной в координатах Фаулера-Нордгейма. Показано, что положение этого минимума даёт оценку электронной работы выхода из наноэлектродов. Приведены оценки работы выхода электронов для изготовленных образцов, показавшие, что значения работы выхода для полученных электродов лежат в широком интервале значений (0.1 - 1.5 эВ). Эти значения значительно ниже, чем работа выхода электрона из массивного золотого проводника (4,76 эВ) и ниже значений, известных для тонких плёнок (2-3 эВ). Предложено объяснение этого факта. Показано также, что участки вольтамперных характеристик с напряжениями ниже Aвых/e (режим прямого туннелирования) находятся в хорошем согласии с формулой Симмонса, что подтверждает туннельный характер механизма проводимости нанозазоров. В Заключении сформулированы основные результаты разработки методики изготовления электродов молекулярного транзистора, которые показывают пригодность этой методики для проведения всех этапов изготовления такого транзистора.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич