Аннотация:В центре внимания данной работы находился джозефсоновский 0-π контакт, имеющий нетривиальную ток-фазовую зависимость. Рассматривалось его использование в джозефсоновских пере-дающих линиях, а также создание различных устройств на его основе. В рамках данной работы:
• была продемонстрирована работа нетривиальной JTL. Открыты различные типы полуфлаксонов, которые могут распространяться в такой JTL. Было получено, что размер полуфлаксонов примерно (в зависимости от типа флаксона) в два раза меньше размера классического флаксона (≈40 контактов для индук-тивности l > 0.2);
• была рассмотрена динамика и взаимодействие флаксонов и полуфлаксонов в композитной JTL. Показано, что полуфлаксоны отражаются от границы между двумя JTL в виде анти-полуфлаксонов и проходят в виде флаксонов. Выделено несколько режимов работы соединительного контакта: затухание флаксона на границе (например, при B0 =0.5, α0 <1.3), создание полуфлаксонов (например при B0 =1, 0.2 <α0 <1.3), создание полуфлаксонных пар (например при B0 =1.5, α0 > 0.7), а так же смешанный режим;
• было получено, что скорость распространения полуфлаксонов выше, чем скорость распространения флаксонов. Также увеличить скорость распространения можно заменой индуктивностей двумя 0-контаками;
• была представлена работа ячейки памяти на основе 0-π контакта, подключенной к трем JTL: линии чтения, записи и выхода. Продемонстрированы операции «запись» и «чтение», а также рассчитаны области параметров, при которых ячейка памяти правильно функционирует. Кроме того, было получено, что при совершении одной операции, на ячейке памяти выделяется энергия порядка 10-18 Дж;
• была продемонстрирована работа схемы делителя частоты на основе 0-π контакта.