Аннотация:Обнаружеы существенные значения магнитокалорического эффекта
составов GdScxTi1-xGe, TbScGe и GdScSi.
Показано, что в составах RTX, где R – редкоземельный ион, T – Sc, Ti, X –
Si, Ge, величина магнитокалорического эффекта определяется в первую
очередь электронной структурой данных составов.
Установлено, что несмотря на существенное увеличение МКЭ при
замещении атомов Sc атомами Ti в составах GdScxTi1-xGe хладоемкость этих
составов остается практически постоянной.