Аннотация:h-LuFeO3 рассматривается как потенциальный однофазный мультиферроидный материал. Эпитаксия других веществ поверх фазы h-LuFeO3 для получения мультиферроидных композитов и гетероструктур откроет возможность изготовления магнитоэлектрических композитов с увеличенной величиной магнитоэлектрического эффекта и их применения в таких областях как магнитная запись, микроэлектроника, датчики магнитного поля и т.д.
Для того чтобы исследовать, в каком виде и при какой температуре гексагональный феррит лютеция (h-LuFeO3) стабилен, в данной работе были синтезированы наночастицы h-LuFeO3 сольвотермальным методом и эпитаксиальные пленки h-LuFeO3 на монокристаллических подложках иттрий-стабилизированного диоксида циркония (YSZ) методом металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD). Затем полученные пленки и наночастицы h-LuFeO3 были отожжены при различных высоких температурах для изучения происходящих в них фазовых и морфологических изменений. Эти данные позволят понять возможности создания эпитаксиальных гетероструктур на основе h-LuFeO3.