Аннотация:Определены температурно-временные параметры твердофазного синтеза мономинерального ганитового материала; получены поликристаллические образцы ганита. Показано, что борный ангидрид является перспективной средой для получения стеклокерамических образцов в системе 25 мас.% (ZnO-Al2O3) – 75 мас % B2O3 при температурах на 900 – 1000оС ниже по сравнению с традиционно применяемым для этих целей оксидом кремния. Однако, из-за высокой устойчивости в низкотемпературной области боратов цинка различной стехиометрии целесообразным представляется смещение процесса в сторону более высоких температур (~ 1000oC)Внедрение предварительно синтезированных кристаллов ганита микронного размера в боратную матрицу с одной стороны, позволяет избежать образования побочных фаз, а с другой приводит к гравитационной дифференциации расплава. Для предотвращения этого следует использовать материал с меньшим размером частиц.