Электронные процессы в диодах на основе перовскитного полупроводника. Диод на основе перовскитного полупроводника и его характеристики.дипломная работа (Магистр)
Организация, в которой проходила защита:
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
Год защиты:2022
Аннотация:Дипломная работа посвящена исследованию электронных процессов в пленках полупроводника перовскита трийодида метиламмония свинца (МАPbI3), созданию на их основе образцов фотодиода и оценке фотоэлектрических характеристик устройства. Теоретическая часть работы состоит из описания перовскитных материалов, обоснования актуальности использования перовскита МАPbI3 для создания образцов диода. В экспериментальной части работы созданы образцы перовскитного фотодиода со структурой ITO/PANI/MAPbI3/C60/BCP/Al с дырочно-транспортным слоем из проводящего полимера PANI и измерены ключевые характеристики фотодиода – фоточувствительность и динамический диапазон. Показано, что образцы с новым дырочно-транспортным слоем обладают фоточувствительностью сравнимой и несколько превышающей фоточувствительность образца с дырочно-транспортным слоем из известного полимера PEDOT:PSS. Приготовленный образец диода имеет широкий линейный динамический диапазон, равный 120 дБ, который сравним с диапазоном у фотодиодов на основе кремния.