|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Разработка молекулярных одноэлектронных сенсоров зарядадипломная работа (Магистр)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Морозова Е.К.
- Тип: Магистр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2021
- Аннотация: В ходе данной работы была изготовлен прототип одноэлектронного сенсора для одномолекулярного секвенатора ДНК нового типа. При этом были решены следующие задачи: Разработан и отлажен технологический процесс изготовления наноструктуры. Модернизирована установка для электромиграции, отлажена процедура проведения этого процесса, подобраны оптимальные для получения минимальных зазоров параметры. Удалось получить зазоры порядка 4 нм – необходимая величина для осаждения молекул. Были проведены измерения характеристик электронного транспорта для транзисторов на основе двух типов молекул. Измерения для молекулы аурофильного производного терпиридина на основе атома родия показали диаграммы стабильности, соответствующие одноэлектронному транзистору. Это доказывает коррелированный характер электронного транспорта в таких транзисторах. Возможность измерения диаграммы стабильности показала большую эффективность затвора в разработанной конструкции транзистора, позволившую уменьшить диапазон необходимых рабочих напряжений затвора. Оценено напряжение начала утечки между затвором и проводящими электродами, имеющее значение порядка 4 В. Это позволило оценить критическое поле начала утечки в слое изолятора величиной порядка 10^8 B\/м, что хорошо согласуется со значениями критического поля в работах других авторов. Это, по-видимому, свидетельствует о достижении предела изоляционной способности для напыленных магнетроном пленок оксида алюминия. Молекула с рецепторами к полимеразе на основе атома родия продемонстрировала вольтамперные характеристики с соответствующим блокадным участком порядка 150 мВ, что свидетельствует об одноэлектронном характере транспорта заряда в системе и, соответственно, о возможности получения в такой структуре высокой, субэлектронной, чувствительности к заряду, типичной для одноэлектронных устройств. Таким образом, из вышеперечисленных результатов можно сделать следующий вывод: в ходе работы удалось получить прототип одноэлектронного сенсора заряда и пронаблюдать при комнатной температуре на данной структуре процессы, характерные для одноэлектронного транзистора.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич