|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ИНТЕРФЕЙСЫ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ Si / SiGe МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИдипломная работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Павликов А.В.
- Автор: Иванов Олег Валерьевич
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2022
- Аннотация: Работа О.В. Иванова посвящена исследованию параметров гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур до и после отжига, анализ эволюции интерфейсов в процессе, который имитирует технологические условия создания FinFET транзисторов. Рентгеновские методы являются весьма актуальными при исследовании параметров структуры различных систем. В их числе и отдельные наночастицы, и нанокомпозиты, и макромолекулы. Эти методы могут быть применены для исследования органических наносистем, сложных полимеров, кристаллических упорядоченных структур, в частности, гетероэпитаксиальных структур на основе кремния.
- Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович