Аннотация:В работе исследовалось влияние спин-орбитального взаимодействия (СОВ) на свойства электронного коллектива и особенности зарядового транспорта в тонких слоях проводящих материалов. Для теоретического исследования выбраны гетероструктуры, в которых возможно экспериментальное исследование такого влияния.
1) Был разработан программный комплекс для анализа тонкопленочных гетероструктур, включающий сверхпроводники,ферромагнетики и нормальные металлы с возможностью учета в них СОВ. Программный комплекс способен учитывать все компоненты триплетной составляющей амплитуды спаривания, что позволяет рассматривать структуры с произвольным направлением намагниченности и выделенной оси спин-орбитального взаимодействия.
2) Показано, что структура $S-N_{SO}-F$, состоящая из сверхпроводника (S), тонкой плёнки нормального металла (N) с СОВ и ферромагнетика (F), может выступать в качестве спин-вентильного элемента, в котором критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние управляется углом $\theta$ между вектором намагниченности и осью анизотропии СОВ. Было обнаружено, что для сверхпроводящего параметра порядка зависимость $\Delta_S(\theta)$ имеет синусоидальную форму. Также выявлена зависимость сверхпроводящего параметра порядка $\Delta_S$ от вклада механизмов Рашбы и Дрессельхауса в формирование СОВ.
Была продемонстрирована возможность создания полезного для практических применений спин-вентильного клапана с использованием всего одного слоя магнитного материала: при повороте вектора намагниченности на угол $\pi/2$ параметр порядка может восстанавливаться от нуля до значений $\Delta_S\approx0.5T_c\approx10^{-3}eV$, что является важным преимуществом предложенной структуры в сравнении с известными $S-F'-F$-элементами.
3) Продемонстрирована возможность реализации джозефсоновского контакта с управляемой величиной критического тока на основе джозефсоновской $S-N_{SO}-F-N_{SO}-S$-гетероструктуры. Обнаружена область параметров с доминирующей длинной триплетной компонентой, позволяющей создать управляемый элемент с большой величиной критического тока по сравнению с известными аналогами.