|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Оптические и электрофизические свойства нанокристаллов кремния в матрице аморфного кремниядипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Павликов А.В.
- Автор: И.А. Гайдученко
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2010
- Аннотация: ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 1. По данным КРС определено отношение объема кристаллической фазы к объему аморфной фазы, которое составляет 1.2 для образцов, подвергнутых БТО, и 1.3 для образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Одновременно были получены значения средних размеров nc-Si в этих образцах, которые составляют 4.6 нм и 4.0 нм соответственно. Эти оценки находятся в хорошем соотношении с данными, полученными из анализа спектров ФЛ. 2. По данным ИК – спектроскопии найдены эффективные показатели преломления и толщины исследуемых образцов. 3. С помощью модели эффективной среды Бруггемана найдены факторы заполнения исследуемых образцов. Отношение объема кристаллической фазы к объему аморфной фазы совпадает с данными по КРС. Определена пористость образцов, которая достигает 90% для образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. 4. Определены удельные проводимости исследуемых образцов. Максимальное и минимальное значения отличаются на 4 порядка. Столь сильное изменение проводимости объясняется изменением пористости от 8% до 90%, что приводит к росту потенциальных барьеров между нанокластерами, ограничивающих транспорт зарядов. 5. Обнаружена эффективная ФЛ образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Этот эффект объясняется излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных в nc-Si из-за наличия высоких потенциальных барьеров. Обнаружено, что безизлучательная рекомбинация на поверхностных дефектах подавляется за счёт водородной пассивации. Наличие больших потенциальных барьеров препятствует переносу носителей заряда и делает невозможным возбуждение ЭЛ в исследуемых структурах.
- Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович