|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние наноразмерных структур на генерацию терагерцового излучения на поверхности полупроводника при фемтосекундном возбуждениидипломная работа (Магистр)
- Научный руководитель: Ожередов И.А.
- Автор: Шилов В.А.
- Тип: Магистр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2021
- Аннотация: Целью данной научной работы является исследование вклада наночастиц в эффект генерации излучения терагерцового диапазона под действием фемтосекундных лазерных импульсов от поверхности полупроводников на примере наночастиц золота на кремнии (образцы кремния n и p – типа проводимости, срез (100)) и арсениде галлия (образцы арсенида галлия n – типа проводимости, срез (100)). Первым этапом в данном исследовании является разработка метода получения наночастиц на поверхности полупроводника. Второй этап - исследование свойств терагерцового излучения, генерируемого от поверхности полупроводников с наночастицами при воздействии фемтосекундного лазерного излучения. Для проведения данного исследования был реализован метод формирования золотых наночастиц с заданными параметрами на поверхности полупроводников при помощи напыления методом электронно-лучевого испарения в сверхвысоком вакууме. Была разработана и создана экспериментальная установка для регистрации терагерцового отклика поверхности в геометрии скользящего падения, на которой была получена генерация ТГц излучения для чистой поверхности кремния и арсенида галлия, и для поверхности этих полупроводников с наночастицами радиусом (2 нм – 6 нм). Для исследованных типов полупроводников на основе экспериментальных данных было установлено, что в геометрии скользящего падения в генерацию ТГц излучения от поверхности арсенида галлия значительный вклад вносит эффект Дембера, но есть и вклад нелинейно-оптического выпрямления. В случае кремния, вклад в генерацию нелинейно-оптического выпрямления значительно ниже, ТГц излучение генерируется, в основном, за счёт фотоэффекта Дембера. Обнаружено, что при оптимальном выборе размера золотых наночастиц возможно увеличение эффективности эффекта генерации ТГц излучения. Для исследованных типов полупроводников, в случае кремния дырочного типа проводимости эффективность генерации ТГц излучения возможно увеличить на 20%, в случае кремния электронного типа проводимости - на 10%, в случае арсенида галлия электронного типа проводимости – на 10%.
- Добавил в систему: Ожередов Илья Александрович