Аннотация:Для мониторинга состава атмосферы необходимы сенсоры, точно определяющие
присутствие в ней различных газов. Полупроводниковые сенсоры резистивного типа
характеризуются высокой рабочей температурой (200-500 o C), что требует больших затрат
электроэнергии. Для снижения рабочей температуры сенсоров нагрев может быть заменен
световой активацией, предпочтительно в видимом диапазоне спектра Сенсибилизация
широкозонных оксидов металлов к видимому свету может быть осуществлена
различными веществами, поглощающими свет в видимом диапазоне. В качестве
сенсбилизизаторов перспективным представляется использование наночастиц
галогенидных перовскитов, которые в последнее время привлекают к себе значительное
внимание вследствие их уникальных оптических свойств.
Целью настоящей работы было установить влияние анионного замещения в
коллоидных нанокристаллах CsPbX 3 (X=Cl,Br,I) на фото- и газочувствительные свойства
нанокомпозитов ZnO/CsPbX 3
Нанокристаллический ZnO получали разложением основного карбоната цинка,
полученного осаждением в водной среде. Коллоидные нанокристаллы CsPbX 3
синтезировали инжекционном способом при температуре 170 о С в среде неполярного
растворителя (1-октадецен). В качестве прекурсоров использовали соответствующие
галогениды свинца и олеат цезия.. Нанокомпозиты ZnO/CsPbX 3 получали методом
накапывания золя НК CsPbX 3 в гексане на предварительно сформированый проводящий
слой ZnO, с дальнейшей сушкой полученного нанокомпозита при 70 о С.
Полученные нанокомпозиты ZnO/CsPbX 3 демонстрировали фотопроводимость в
условиях периодического облучения светом видимого диапазона и при комнатной
температуре. Величина фотоотклика для всех нанокомпозитов больше, чем для чистого
ZnO. Сенсорные измерения проводили при комнатной температуре под действием
периодической подсветки c λ=480-550 нм. Полученные нанокомпозиты демонстрируют
сенсорную чувствительность к NO 2 в диапазоне 0,46-9,60 ppm.
Установлено, что замещение части брома хлором в нанокомпозитах
ZnO/CsPbX 3n Br 3-3n приводит к снижению электрического сопротивления по сравнению с
исходным ZnO примерно на порядок, при этом полученный нанокопозит проявляет
максимальную сенсорную чувствительность при облучении светом в полосе поглощения
НК (480 нм). Замещение части брома иодом в нанокомпозитах ZnO/CsPbX 3n Br 3-3n ,
напротив, приводит к увеличению электрического сопротивления по нанокомпозита
сравнению с исходным ZnO, примерно на порядок, при этом полученный нанокопозит не
обнаруживает сенсорную чувствительность при облучении светом в полосе поглощения
НК (550 нм).