Аннотация:В данной работе были сделаны первые шаги на пути к созданию молекулярных одноэлектронных транзисторов, отдаленных от подложки на расстояние 40 нм. При этом были достигнуты следующие результаты:
1) На кремниевой подложке получена методами стандартной оптической и электронно-лучевой литографии структура размером 80х80 мкм из золотых нанопроводов толщиной 18 нм и шириной от 1 мкм до 40 нм в области максимального сужения.
2) Разработана методика формирования нанозазоров размеров меньше 5 нм в условиях отсутствия теплоотвода от места разрыва. При этом показано, что теплоотвод в подложку не играет большой роли, а все тепло от места разрыва уходит по золотым нанопроводам.
3) Разработана методика встраивания молекул аурофильной производной терпиридина на основе родия. Встраивание молекулы в зазор происходит успешнее, когда они осаждаются на нанопровод до формирования зазора.
4) Получены вольт-амперные характеристики, которые свидетельствуют о наличии молекулы в зазоре и которые говорят об одноэлектронном характере транспорта через них. Причем этот транспорт обеспечивается зарядовым центром, состоящим из одиночного атома. Это было проверено как в теории, так и в эксперименте.