Аннотация:В работе изучен вопрос влияния акустических волн на транспорт электронов в низкоразмерных наноструктурах - одномерных металлических нанопроводах. При этом получены следующие основные результаты.
Разработана топология встречно-штыревых акустоэлекронных преобразователей (ВШП) для возбуждения поверхностных акустических волн на низкопроводящих подложках из ниобата лития. Разработана технология реализации этой топологии и изготовлены ВШП по разработанной технологии, измерены их электрические характеристики и показана работоспособность изготовленных микросистем. По разработанной технологии изготовлены линии задержки поверхностных акустических волн в направлениях X и Х+50∘, измерены их акустические характеристики в диапазоне частот 0-20 МГц, изготовлен акустоэлектронный преобразователь,обеспечивающий возбуждение и прохождение поверхностной акустической волны через акустически озвученную область подложки между возбуждающим и принимающим акустическую волну ВШП в изготовленной линии задержкииопределенырабочиедиапазонычастот(«окна»)длянаиболее благоприятного хода этого процесса. Впервые разработана технология формирования пленочных структур с характерным размером менее 300 нм на низкопроводящих подложках, на ее основе - технология изготовления металлических (из золота)нанопроводовнаподложкахизниобаталитияиизготовлены такие нанопровода шириной 100-200 нм. Тестовые измерения характеристик электронного транспорта в изготовленных нанопроводах в присутствии поверхностных акустических волн в созданной акустоэлектронной системе показали, что пропускание волны вызывает протекание по проводникам постоянного тока 1-10 мкА, причем его величина пропорциональна амплитуде этой поверхностной акустической волны. Причиной возникновения такого тока является, возможно, эффект «увлечения» электронов проводимости в нанопроводе электрическим полем, возникающим при распространении поверхностной акустической волны.