Аннотация:В данной работе показано, что изучение вольт-амперных характеристик (ВАХ) джозефсоновских гетероструктур с многослойной областью слабой связи является одним из эффективных способов получения новой информации о физических свойствах сверхпроводящих корреляций (плотность состояний и т.д.), а также о трудно измеряемых параметрах системы (параметр прозрачности, обменное поле и т.д.). Тем самым доказано, что рассматриваемая в данной работе концепция «джозефсоновской спектроскопии» действительно может служить для выявления новой физики в тонкопленочных многослойных гетероструктурах.
В первой части была рассчитана динамика асимметричного джозефсоновского стека с двумя неэквивалентными контактами: быстрым емкостным «SIs»-переходом и медленным не емкостным «sFS»-переходом. Дисбаланс квазичастиц в тонком сверхпроводящем слое между контактами приводит к экспериментально наблюдаемым изменениям динамических свойств системы.
Во второй части работы было изучено влияние эффекта близости в «SIsFS»-переходах на плотность состояний в окрестности туннельного слоя и на резистивную ветвь вольт-амперной характеристики.