Аннотация:Установлено, что исследуемые слоистые пленки a-Si:H имеют большую фоточувствительность и на температурной зависимости фотопроводимости отсутствует температурное гашение. Установлено положение очувствляющего рекомбинационного уровня в запрещенной зоне, который, возможно, обусловлен присутствием большой концентрации кислорода. Результаты работы обсуждаются.