|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследование влияния высокотемпературного отжига на спектральную зависимость коэффициента поглощения света в легированных пленках a-Si:H методом посьоянного фототокадипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Ормонт Н.Н.
- Автор: Джиха Банколе Дидье
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 1995
- Аннотация: Создана установка для измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения в a-Si:H методом постоянного фототока в спектральном диапазоне 0.6-1.8 эВ. Обнаружено, что в пленках a-Si:H(B)высокотомпературный отжиг приводит к увеличению коэффициента поглощения в дефектной области спектра и увеличению параметра хвоста Урбаха. Это объясняется увеличением концентрации электрически активных атомов Бора и оборванных связей кремния в результате отжига пленки.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна