Аннотация:В системе Li2O-ZnO-TiO2 был разработан материал для технологии низкотемпературного со-обжига керамики в целях его применения в области производства электронных компонентов. Температура спекания материала была снижена с 1075 °C до 950 °C за счёт введения спекающей добавки эвтектического состава в системе Li2O-B2O3-SiO2. Введение 3 мас. % добавки позволило получить материал с плотностью 4,14 г/см3. Было определено влияние добавки на диэлектрическое свойства материала: полученная керамика, полученная при 950 °C, имела диэлектрическую проницаемость
ε 23,1 и фактор диэлектрической добротности Q∙f 832 МГц.