|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Спектры люминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/AlGaN/GaN.дипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Широков С.С.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Год защиты: 2005
- Аннотация: Отградуирована и модернизирована установка для измерения спектров электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN со спектральными максимумами в ближней ультрафиолетовой области спектра. Положение максимумов в спектрах излучения светодиодов на основе гетероструктур InxGa1-xN/AlxGa1-xN/GaN с длинами волн 405 – 385 нм соответствует содержанию In в активных узкозонных слоях InxGa1-xN от 8 до 4,2 %. Положение максимума в наиболее коротковолновых диодах с длиной волны 363 нм соответствует активному узкозонному слою GaN. Малый сдвиг максимумов (15 нм) в спектрах люминесценции с увеличением тока для исследованных диодов объясняется модулированным легированием барьеров донорами. Это объяснение подтверждено исследованиями распределения концентрации заряженных центров в ОПЗ. Коротковолновая граница спектров излучения гетероструктур InGaN/GaN с малым содержанием In обусловлена поглощением излучения широкозонным слоем GaN. В спектрах светодиодов с длиной волны 405 нм обнаружено влияние поглощения излучения пластиковым колпачком. Материал пластика поглощает все излучение с длиной волны менее 390 нм. Длинноволновый сдвиг спектральных максимумов и форма коротковолновой части спектров свидетельствуют о нагреве активной области структур при увеличении тока (до 30-80 мА). Оценки увеличения температуры дают значения T = 45–80 K.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович