Аннотация:Получение, исследование и поиск возможных применений наноматериалов на сегодняшний день является одним из наиболее перспективных направлений в науке и технике. Основой повышенного интереса к наноматериалам служат их необычные свойства, проявляющиеся при ограничении размеров составляющих их структурных элементов до нескольких нанометров по одному или нескольким направлениям. Особый интерес привлекают наноматериалы, представляющие собой острийные (или лезвийные) структуры нанометровой толщины. Одним из характерных свойств таких наноструктур является эффективная автоэлектронная эмиссия, т.е. испускание электронов под действием внешнего электрического поля. В настоящее время активно исследуются наноразмерные автоэлектронные эмиттеры острийного типа, такие как углеродные нанотрубки, нановискеры оксидов металлов, а также острия кремния.
Автоэлектронная эмиссия из кремниевых острий привлекает значительное внимание исследователей благодаря возможности создания на их основе миниатюрных вакуумных электронных устройств [1, 2]. Острия из кремния p-типа представляют особый интерес, поскольку их вольтамперные характеристики имеют область насыщения, наличие которой приводит к повышению стабильности и воспроизводимости характеристик автоэлектронной эмиссии [3].
Для целей практического применения характеристики автоэлектронной эмиссии можно улучшить с помощью модификации поверхности кремниевых острий различными методами. В данной работе такая модификация заключалась в осаждении наночастицы вольфрама на вершине острия. На практике для достижения заметных плотностей автоэмиссионного тока, применяются катоды, составленные из большого числа наноразмерных эмиттеров. При этом интегральные автоэмиссионные характеристики таких катодов определяются как свойствами отдельных эмиттеров, так и их взаимным расположением. В качестве одного из методов, предназначенных для исследования характеристик отдельных эмиттеров в массиве и анализа пространственного распределения эмиссионных центров, используется сканирующая анодная автоэмиссионная микроскопия (sсanning anode field emission microscopy - SAFEM). В данной работе с помощью методики SAFEM были проведены исследования характеристик кремниевых острийных эмиттеров, декорированных наночастицами вольфрама, и установлены особенности механизма автоэлектронной эмиссии из них.