Аннотация:1. Методом MOCVD по реакции пирогидролиза получены тонкие пленки диоксида титана с модификации рутила на монокристаллическом r-сапфире; показано, что их рост происходит вдоль направления (1 0 1), перпендикулярного поверхности подложки. Изучена морфология пленок в зависимости от температуры осаждения и дополнительной термической обработки.
2. Показано влияние буферного слоя TiO2 на свойства осажденных на него пленок диоксида ванадия, которое заключается в стабилизации диоксида ванадия в высокотемпературной фазе рутила, вследствие чего понижается температура перехода диэлектрик-металл в VO2. Буферный слой способствует тому, что пленки VO2/TiO2/Al2O3 обладают ДМ-переходом без дополнительного отжига. Термическая обработка при 600оС приводит к перитектическому разложению окисленной фазы V6O13 и частичному взаимодействию слоев VO2 и TiO2, что отражается на электрофизических свойствах образцов (повышает их сопротивление, уменьшает амплитуду гистерезиса сопротивления).
3. Методом MOCVD получены тонкие пленки твердых растворов V1-xTixO2 на подложках r- и c-Al2O3 и на буферном слое TiO2, нанесенном на r- или c-сапфир.
4. Продемонстрировано влияние условий отжига и состаривания пленок твердых растворов на их фазовый состав, морфологию и зависимость сопротивления от температуры. Показано, что на электрические свойства пленок оказывают сильнейшее влияние образование/устранение межзеренных прослоек фазы V6O13, спинодальный распада на фазы с преобладанием ванадия и титана, а также диффузионное взаимодействие на границе пленки твердого раствора с буферным слоем.