|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Задержанная фотопроводимость в структурах p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs с инвертированной гетерограницей.дипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Минина Н.Я.
- Автор: Ильевский А.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2001
- Аннотация: При исследовании фотопроводимости, индуцированной красным светодиодом, в условиях одноосного сжатия вдоль направления [110] обнаружена задержанная фотопроводимость в структурах p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs с симметричной квантовой ямой. Эффект связывается с существованием глубоких электронных ловушек на инвертированной гетерогранице.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна