|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Электролюминесценция в гетероструктурах p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs при одноосном сжатии.дипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Минина Н.Я., Богданов Е.В.
- Автор: Орел А.Б.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2008
- Аннотация: Исследовано влияние одноосного сжатия до 4 кбар вдоль направлений [110] и [1-10] на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs при 77К. Установлено, что независимо от направления сжатия происходит сдвиг спектра в область более высоких энергий на величину до 20 — 25 мэВ. Показано, что эффект связан с перестройкой энергетического спектра гетероструктур в квантовой яме из GaAsP. Обнаружено также, что при сжатии происходит рост эффективности лазера, достигающий 100% и более при максимально достигнутых нагрузках. Установленная качественная зависимость картины трансформации вольтамперных характеристик исследованных гетероструктур p AlGaAs/GaAsP/n AlGaAs от направления сжатия аргументировано связана с появлением пьзополя в структуре при деформировании.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович