Применение маски позитивного электронного резиста для создания субмикронных шин металлизации методом гальванического осаждениядипломная работа (Магистр)
Организация, в которой проходила защита:
Московский физико-технический институт (государственный университет), факультет физической и квантовой электроники, кафедра наноэлектроники и квантовых компьютеров