Аннотация:Соединения, содержащие ионы Ni2+, интенсивно исследуются в настоящее время в связи с тем, что в монокристалле MgF2- Ni2+ в 1963 году было получено стимулированное излучение на фононных линиях электронно-колебательного спектра. Монокристаллы граната, как известно, являются отличным лазерным материалом. Исследования монокристаллов гранатов, легированных ионами Ni2+, показали наличие широкополосной люминесценции в инфракрасном диапазоне и была обнаружена лазерная генерация при температуре ниже 180 К. В структуру граната ионы Ni2+ входят в две подрешетки: октаэдрическую и тетраэдрическую. За лазерную генерацию ответственны ионы Ni2+, занимающие октаэдрическую подрешетку. При комнатной температуре обнаружить генерацию не удалось из-за наличия ионов Ni2+ в тетраэдрической подрешетке. Несмотря на это, такие монокристаллы могут быть использованы в качестве перестраиваемых твердотельных лазеров в ближнем инфракрасном диапазоне (1,4 мкм) при температуре ниже 180 К.
В связи с этим выращивание и исследование спектральных свойств монокристаллических пленок гадолиний-галлиевого граната является актуальным.
Целью данной работы являлось выращивание монокристаллических пленок гадолиний-галлиевого граната, легированного ионами Ni, методом жидкофазной эпитаксии и исследование оптического поглощения выращенных пленок.