Аннотация:Монокристаллические пленки, выращиваемые методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава, являются единственными искусственными материалами, в которые в качестве изоморфных замещений можно ввести около половины элементов из таблицы Д.И.Менделеева. В связи с успешно решенной проблемой создания запоминающих устройств без механически перемещаемых частей была разработана технология получения подложек на основе монокристаллов гадолиний-галлиевого граната (ГГГ) для выращивания на них эпитаксиальных гранатовых пленок.
В качестве подложек для выращивания эпитаксиальных пленок используют разные монокристаллы со структурой граната, такие как: Y3Al5O12, Gd3Ga5O12, Gd3Ga5-xAlxO12, Gd3ScxGa2-xGa3O12, Y3ScxGa2-xGa3O12, Ca3Ga2Ge3O12. В частности, показано, что эпитаксиальные пленки, выращенные на подложках иттрий-алюминиевого граната, легированные ионами церия, имеют быструю кинетику затухания люминесценции (не более 30 нс) и являются перспективными для создания сцинтилляторов.
Сцинтилля́торы — вещества, обладающие способностью излучать свет при поглощении ионизирующего излучения (гамма-квантов, электронов, альфа-частиц и т. д.). Как правило, излучаемое количество фотонов для данного типа излучения приближённо пропорционально поглощённой энергии, что позволяет получать энергетические спектры излучения. Сцинтилляционные детекторы ядерных излучений — основное применение сцинтилляторов. Кристаллы, активированные ионами Ce3+, считаются перспективными для разработки быстрых сцинтилляторов на 5d 4f межконфигурационных переходах ионов церия, т.к. имеют малую радиационную длину, высокий световой выход, малое время высвечивания.
Целью настоящей работы являлось исследование спектрально-люминесцентных свойств эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната с разной концентрацией иона Ce3+.