Аннотация:Получены составы Gd5Si2Ge2, Gd5Si1,975Ge1,975Sn0,05, Gd5Si1,95Ge1,95Sn0,1, Gd5Si1,975Ge1,975In0,05. Исходный состав и замещенный In практически однофазны, а при введении Sn появляется вторая фаза CrB.
Обнаружен большой МКЭ 1,8 К при 13,4 кЭ в соединении с In.
Введение In приводит к росту как температуры Кюри, так и максимального значения МКЭ. При введении Sn наоборот величина МКЭ и уменьшаются.
На образцах с In и большей концентрацией Sn обнаружен существенный гистерезис как по измерениям МКЭ, так и по измерениям намагниченности. При этом при измерении МКЭ при охлаждении образца из размагниченного состояния величина МКЭ существенно выше, чем при нагреве из упорядоченного состояния
При нескольких последовательных измерениях при одной и той же температуре (если идти на охлаждение) величина максимального эффекта падает.