|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Оборудование производства материалов электроники и наноэлектроники (технология гетерофазных структур) учебный курс
- Автор: Аветисов И.Х.
- Год создания: 2011
- Организация: ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева»
- Описание: Классификация методов получения гетерофазных пленочных структур на основе аморфных, поликристаллических, монокристаллических и эпитаксиальных пленок. Вакуумные методы получения тонких пленок. Технологии вакуумного термического распыления. Прямое и косвенное резистивное испарение. Конструкции испарителей. Требования к материалам испарителей и контейнеров. Электронно-лучевое распыление. Индукционное распыление. Лазерное испарение. Технология распыления материалов под действием нейтральных и заряженных частиц. Равновесная и неравновесная, высоко- и низкотемпературная плазма. Технология диодного, триодного и магнетронного распыления. Магнетроны постоянного тока и ВЧ магнетроны. Ионно-плазменное распыление. Реактивное ионно-плазменное распыление. Ионно-лучевое распыление. Реактивное ионно-лучевое распыление. Конструктивные особенности вакуумного оборудования для многослойных гетероструктур, получаемых методом MOCVD. Понятие производства. Технологическая структура вакуумного производства. Производственные и технологические процессы. Составные части технологического процесса: операция, позиция, установка. Основные типы технологического оборудования для создания контролируемой атмосферы в технологических агрегатах. Системы создания предварительного вакуума. Системы масляной и безмасляной откачки. Системы создания высокого и сверхвысокого вакуума. Системы шлюзования. Системы автоматического поддержания потоков рабочих газов при низких и сверхнизких давлениях. Основные аспекты и особенности наноэлектроники. Наноразмерные структурные компоненты. Зондовые технологии. Механические измерительные устройства с высокой разрешающей и детектирующей способностью. Нанотехнологические компоненты современной электроники. Конвективные системы охлаждения. Закон Мюррея и рекурсивная система трубопроводов. Конструкция наноохладителя. Охлаждающая емкость в макроскопическом объеме. Токопроводящие дорожки. Изолирующие слои и контакты туннелирования. Модулируемые туннельные переходы.
- Добавил в систему: Петрова Ольга Борисовна
Преподавание курса
- 1 сентября 2017 - 29 декабря 2017 Аветисов Игорь Христофорович
- ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева», Факультет технологии неорганических веществ и высокотемпературных материалов, Кафедра химии и технологии кристаллов
- обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 27 часов
- Автор: Аветисов И.Х.
- 2 сентября 2016 - 23 декабря 2016 Аветисов Игорь Христофорович
- ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева», Факультет технологии неорганических веществ и высокотемпературных материалов, Кафедра химии и технологии кристаллов
- обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 27 часов
- Автор: Аветисов И.Х.
- 3 сентября 2015 - 30 декабря 2015 Аветисов Игорь Христофорович
- ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева», Факультет технологии неорганических веществ и высокотемпературных материалов, Кафедра химии и технологии кристаллов
- обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 27 часов
- Автор: Аветисов И.Х.
- 4 сентября 2014 - 26 декабря 2014 Аветисов Игорь Христофорович
- ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева», Факультет технологии неорганических веществ и высокотемпературных материалов, Кафедра химии и технологии кристаллов
- обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 27 часов
- Автор: Аветисов И.Х.
- 12 февраля 2013 - 29 мая 2013 Аветисов Игорь Христофорович
- ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева», Факультет технологии неорганических веществ и высокотемпературных материалов, Кафедра химии и технологии кристаллов
- обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
- Автор: Аветисов И.Х.