ИСТИНА

Одним из важнейших направлений повышения радиационной стойкости и улучшения комплекса электрических параметров полупроводниковых приборов является радиационная технология, которая включает облучение (электронное, альфа, гамма, протонное, ионное и др.) приборных структур на пластинах и последующий стабилизирующий отжиг при температурах 200÷500 град. С. Смещение атомов из узлов кристаллической решетки под воздействием облучения в сочетании с отжигом позволяет формировать термически стабильные центры рекомбинации в активных областях приборных структур, позволяющих в широком диапазоне регулировать значения электрофизических параметров полупроводникового материала и, соответственно, электрических параметров приборов. Наибольшее практическое применение нашло облучение электронами кремниевых биполярных приборов для повышения быстродействия путем увеличения скорости рассасывания неравновесных носителей заряда.