|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
NEW EVIDENCE OF NON-RAYLEIGH TYPE OF LIGHT SCATTERING IN SILICON NANOWIRE ARRAYS FORMED BY METAL-ASSISTED CHEMICAL ETCHINGдоклад на конференции
- Авторы: EFIMOVA A.I., TKACHEV A.V., GONCHAR K.A., OSMINKINA L.A., GAYVORONSKY V.YA, TIMOSHENKO V.YU, PETROV D.V., POPOV A.S., MULTIAN V.V., GOLOVAN L.A.
- Международная Конференция : Porous Semiconductors - Science and Technology PSST
- Даты проведения конференции: 2014
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: GONCHAR K.A.
- Место проведения: Alicante-Benidorm, SPAIN, Spain
-
Аннотация доклада:
We reported non-Rayleigh type of light scattering by arrays of Si nanowires in near-infrared spectral region which depends upon aspect ration of fabricated structures
- Добавил в систему: Ефимова Александра Ивановна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Efimova_01-P1-08_PSST_2014.pdf | Efimova_01-P1-08_PSST_2014.pdf | 552,9 КБ | 14 января 2015 [efimovaai] |