ИСТИНА

В докладе представлены результаты детального исследования начальной стадии адсорбции единичных атомов Со на реконструированную поверхность Ge(111)2?1 с помощью сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) в сочетании с методами моделирования в рамках теории функционала плотности (ТФП). Ключевой особенностью данного исследования является экспериментальное наблюдение как неразрушающей имплантации единичных атомов Со в подповерхностные слои Ge(111), так и одновременное формирование подповерхностных металлических наноструктур пониженной размерности. В рамках ТФП предложена модель, описывающая адсорбцию атомов Со на поверхность Ge(111)2?1 и его последующую имплантацию в подповерхностные слои Ge.