|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Применение асимптотических методов при моделировании волновых функций носителей заряда в гетероструктурах Si/SiGe.доклад на конференции
- Авторы: Левашова Н.Т., Орлов А.О.
- Всероссийская Конференция : Бесконечномерный анализ, стохастика, математическое моделирование, новые задачи и методы. Проблемы математического и естественнонаучного образования.
- Даты проведения конференции: 1 января 2014
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, РУДН, Russia
-
Аннотация доклада:
В настоящей работе исследуются гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si II типа, то есть такие, в которых напряженный слой Si1-xGex образует на зонной диаграмме довольно глубокую потенциальную яму для дырок и невысокий барьер для электронов, высота которого растет с увеличением содержания германия x. В работе моделируется поведение волновых функций носителей заряда при изменении параметров барьера.
- Добавил в систему: Левашова Наталия Тимуровна