ИСТИНА

В настоящее время интенсивно используются решения в наноэлектронике направленные на сознание сверхплотной памяти основанной на фазовых переходах. Последние достижения связаны с использованием углеродных молекул. Система переходит из аморфного плохо-проводящего состояния в кристаллическое состояние графита обладающего высокой проводимости. Фазовый переход ключевым образом зависит от вольт-амперной характеристики прибора. Характеристика обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Переход в рабочее состояние связан с развитием неустойчивости в полупроводнике. Характер и форма фазового перехода зависит от температуры и шнурования тока. Неустойчивость шнурования приводит к возникновению и перемещению солитонных решений. Прогнозирование неустойчивости и ее характера важно и имеет принципиальное значение в работе прибора. В настоящей работе построена магнитогидролинамическая модель графитового образца и предложен метод исследования ее неустойчивости методом проектирования на неустойчивое многообразие [1]. Сформулированы параметры развития нелинейной неустойчивости тороидального образца с электронными силовыми линиями. Метод позволяет определить движение и колебания солитонных решений. Колебания солитонов может служить основой для создания новых молекулярных переключателей. Литература 1. Nefedov V.V., Popov A.M. Numerical investigation of MHD plasma instability by the method of projections on the unstable manifold // Computational Mathematics and Modeling (published by Consultants Bureau, United States), 1994, Vol. 5, No. 3, P.P. 252-256.