ИСТИНА

Исследована генерация терагерцового излучения в пленках четверных топологических изоляторов (ТИ) Bi2-xSbxTe3-ySey при облучении пикосекундными импульсами волоконного Er3+-лазера с длиной волны 1.56 мкм. Пленки ТИ различной толщины и химического состава были выращены MOCVD-методом на подложках сапфира (0001) с нанесенным тонким буферным слоем ZnSe толщиной 10 nm. Показано, что эффективность генерации ТГц-излучения в тонкой островковой пленкой ТИ толщиной 40 нм и с химическим составом, близким к кривой Рена [1], в 25 раз выше, чем у пленок с толщинами 400-800 нм “неоптимального” химического состава. При приложении внешнего электрического напряжения Ub к электродам на поверхности ТИ обнаружен эффект усиления терагерцового излучения, а также переключение фазы ТГц-импульсов на 180 град. при смене полярности Ub. Обсуждаются физические причины наблюдаемых эффектов и возможные перспективы использования для физических приложений. [1] Zhi Ren et.al. Phys.Rev. B 84, 165311 (2011).